Raytheon demonstruje zastosowanie prototypów technologii AESA/GaN w radarze Patriot

Tewksbury, Massachusetts, (15 lipca 2014 r.) — Firma Raytheon Company (NYSE: RTN)
zademonstrowała zastosowanie prototypów technologii anteny z aktywnym skanowaniem fazowym
(AESA) oraz azotku galu (GaN) w radarze amerykańskiego systemu obrony przeciwlotniczej i
przeciwrakietowej Patriot™. Technologie te umożliwią w przyszłości śledzenie celów w promieniu 360
stopni, a także znacząco zwiększą obszar chroniony przez system i skrócą czas potrzebny na wykrycie,
rozróżnienie i zwalczenie zagrożeń. Wprowadzenie technologii AESA opartych na azotku galu dodatkowo
podniesie też niezawodność i koszty w całym cyklu życia radaru Patriot, dalece wykraczając poza to, co
udało się już osiągnąć dzięki innym, niedawno wprowadzonym ulepszeniom tego radaru.
– Raytheon jest liderem w dziedzinie radarów lotniczych, morskich i naziemnych. Kontynuujemy
inwestycje w badania i rozwój w celu osiągnięcia jeszcze większej dojrzałości naszych technologii
radarowych. Technologie AESA oparte na azotku galu to przyszłość sensorów naziemnych. Znajdą one
zastosowanie we wszystkich sensorach oferowanych przez Raytheon. – powiedział Ralph Acaba,
wiceprezes ds. zintegrowanej obrony przeciwlotniczej i przeciwrakietowej w dziale zintegrowanych
systemów obronnych (IDS) firmy Raytheon. – Zarówno sam radar, jak i cały system Patriot, dotrzymuje
kroku najnowszym zdobyczom technologii, aby zagwarantować przeważającą skuteczność w zwalczaniu
obecnych i przyszłych zagrożeń. Obecnie produkowany i wdrożony system Patriot jest najnowocześniejszym systemem przeciwlotniczym i przeciwrakietowym dostępnym aktualnie na rynku.

Kolejne, szerzej zakrojone prezentacje zaplanowano na kolejne miesiące.

O technologii azotku galu (GaN)
Firma Raytheon jest liderem w zakresie tworzenia innowacji i rozwoju technologii azotku galu (GaN) już
od 15 lat i zainwestowała ponad 150 milionów dolarów, aby jak najszybciej wdrożyć tę najnowszą
technologię w wojsku oraz ograniczyć jej koszty i związane z nią ryzyko. Firma Raytheon
zademonstrowała dojrzałość tej technologii na wiele różnych sposobów, przewyższając na przykład
wymagania w zakresie niezawodności związane z wdrożeniem tej technologii do produkcji systemów
obronnych. Efektem dojrzewania technologii GaN jest osiągnięcie „8” poziomu gotowości do produkcji
(Manufacturing Readiness Level – MRL), czyli najwyższego poziomu osiągniętego w przypadku tej
technologii przez jakąkolwiek organizację w branży zbrojeniowej.